Există trei etape în procesul de depunere fizică în vapori (PVD): Emisia de particule din materii prime; Particulele sunt transportate pe substrat; Particulele se condensează, se nucleează, cresc și se filmează pe substrat.

Depunerea chimică în vapori (CVD), după cum sugerează și numele, utilizează reactanți precursori gazoși pentru a forma pelicule solide prin reacții chimice atomice și moleculare. Este de menționat faptul că depunerea chimică în vapori (CVD) este utilizată pe scară largă în epitaxia cristalină semiconductoare de înaltă calitate și în prepararea diferitelor filme izolatoare. De exemplu, în MOS FET, filmele depuse prin CVD includ Si policristalin, SiO2, sin, etc.