物理气相沉积 (PVD) 的过程分为三个阶段： 原材料的颗粒排放；颗粒被输送到基材上；颗粒在基材上凝聚、成核、生长并成膜。

化学气相沉积（CVD），顾名思义，就是利用气态前驱反应物，通过原子和分子化学反应形成固体薄膜。值得一提的是，化学气相沉积（CVD）广泛应用于高质量半导体晶体外延和各种绝缘薄膜的制备。例如，在 MOS FET 中，通过 CVD 沉积的薄膜包括多晶 Si、SiO2、sin 等。